PVD-pinnoitemateriaali
-
![4N ZrO2-sputterointikohde Cu-taustalevyllä]()
4N ZrO2-sputterointikohde Cu-taustalevylläTaustalevyillä varustetut zirkoniumdioksidiruiskutuskohdeemme on valmistettu erittäin{0}}puhtaista zirkoniumdioksidimateriaalista, joka on kiinnitetty tukevasti metalliseen taustalevyyn. tämä...Enemmän -
![ZrC-sputterointikohde Cu-taustalevyllä]()
ZrC-sputterointikohde Cu-taustalevylläZirkoniumkarbidi (ZrC) sputterointikohteet, joissa on kupariset taustalevyt, muodostavat vahvan sidoksen korkean -puhtauden ZrC-kohdemateriaalin ja kuparitaustan välillä. Tämä rakenne takaa...Enemmän -
![Ta 5at% doped ZrC sputtering Target]()
Ta 5at% doped ZrC sputtering TargetZirkoniumkarbidin tarkka seostus 5 atomiprosentin tantaalisuhteella parantaa merkittävästi kohdemateriaalin korkean-lämpötilan kestävyyttä, lämpöiskun kestävyyttä ja korroosionkestävyyttä. Korkean...Enemmän -
![4N IGZO Sputtering Target]()
4N IGZO Sputtering Target4N IGZO -sputterointitavoitteemme tarjoavat vakaamman ja tehokkaamman ruiskutussuorituskyvyn. Ne on erikoistuneet huippuluokan näyttö- ja puolijohdesovelluksiin, ja ne mahdollistavat erinomaisen...Enemmän -
![4N HfO2 Target Cu-taustalevyllä]()
4N HfO2 Target Cu-taustalevyllä4N HfO₂-sputterointikohde kuparitaustalla käyttää 99,99 % puhtausastetta hafniumoksidimateriaalia. Integroituna kuparitaustalla, se tarjoaa erinomaisen lämmönjohtavuuden ja sopii ihanteellisesti...Enemmän -
![4N HfO2 seostettu 2 % Ti Targetilla]()
4N HfO2 seostettu 2 % Ti Targetilla2 % Ti-seostettu HfO₂-sputterointikohde on valmistettu korkean -puhtauden hafniumoksidisubstraatista, joka on seostettu tarkasti 2 %:lla titaania. Koostumuksellisen yhtenäisyytensä ja suuren...Enemmän -
![4N HfO2-sputterointikohde]()
4N HfO2-sputterointikohde4N korkean -puhtauden hafniumdioksidisputterointitavoite (puhtausaste 99,99 %) – soveltuu käytettäväksi optisissa pinnoitteissa, puolijohteissa ja tarkkuuselektroniikassa. Suuri tiheys, tasainen...Enemmän -
![Mukautettava 4N hiilisputterointikohde]()
Mukautettava 4N hiilisputterointikohdeErittäin -puhtaat 4N-hiiliruiskutuskohdeemme on valmistettu 99,99-prosenttisesti puhtaasta hiilimateriaalista, ja niissä on vähän epäpuhtauksia, joten ne sopivat ihanteellisesti puolijohteiden,...Enemmän -
![B4C-sputterointikohde]()
B4C-sputterointikohdeTässä tuotteessa käytetään erittäin{0}}puhtaita boorikarbidiraaka-aineita, ja sen kovuus ja vankka lämpöstabiilisuus tekevät siitä ihanteellisen puolijohteiden valmistukseen, optisiin...Enemmän -
![Mukautetut booriruiskutuskohteet]()
Mukautetut booriruiskutuskohteetTarjoamme erittäin{0}}puhtaita, tiheitä boorikohteita, jotka sopivat täydellisesti puolijohde- ja pinnoitusprosesseihin. Tuemme teknisiin piirustuksiin perustuvaa räätälöityä valmistusta ja...Enemmän -
![Mukautettu 3N5 pyöreä volframikohde]()
Mukautettu 3N5 pyöreä volframikohdeTarjoamme räätälöityjä -pyöreitä volframitauluja, joiden puhtaus on 3N5 (99,95 %). Ne on valmistettu jauhemetallurgialla, ja niissä on tasainen mikrorakenne, korkea tiheys ja ne ovat huokottomia...Enemmän -
![Räätälöity erittäin puhdas Hf-sputterointikohde]()
Räätälöity erittäin puhdas Hf-sputterointikohdeTarjoamme räätälöityjä-puhtaus-hafnium-sputterointikohteita, joiden puhtaus on yli 99,9 % ja joissa on tasainen tiheys ja hieno mikrorakenne. Ne on suunniteltu erityisesti puolijohdesiruihin,...Enemmän
Olemme ammattimaisia pvd-pinnoitemateriaalien toimittajia Kiinassa, joka on erikoistunut tarjoamaan korkealaatuista räätälöityä palvelua. Toivotamme sinut lämpimästi tervetulleeksi ostamaan alennettua pvd-pinnoitemateriaalia varastossa täältä ja saamaan ilmaisen näytteen tehtaaltamme. Hintaneuvontaa varten ota yhteyttä.